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SI2309CDS-T1-GE3
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SI2309CDS-T1-GE3

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VISHAY(威世)场效应管(MOSFET) 数量 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 1.6A 导通电阻(RDS(on)) 450mΩ@4.5V 耗散功率(Pd) 1.7W 阈值电压(Vgs(th)) 3V 栅极电荷量(Qg) 4.1nC@4.5V 属性 参数值 输入电容(Ciss) 210pF 反向传输电容(Crss) 20pF 工作温度 -55℃~+150℃ 配置 – 类型 P沟道 输出电容(Coss) 28pF 栅极电压(Vgs) ±20V

Category:

Description

SI2309CDS-T1-GE3   VISHAY(威世)

 

 

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